一方面可以清楚的看出疊加了半透明器件位置的圖像和未疊加位置圖像的區別，另一方面還可以順帶宣傳一波母校。
這也是許秋在閱讀文獻中獲得的靈感，他之前就看到過中科院化學研究所盧長軍課題組發表的文章，對方拍的照片中帶著ICCAS的文字標識，是那種一張紙上斜著打印了一排排的“ICCAS”，還是黑白的，看起來比較弱雞。
許秋這次直接上彩圖LOGO，逼格更高一些。
第四張圖，許秋打算給“自己”增加點工作量，深入研究體系，在不同電極厚度下器件的效率和對應的AVT數值。
厚度值決定分別選擇10、12、14、16、18、20、100納米，其中100納米作為正常器件，也就是標樣進行參比，其他的薄層電極厚度都是包含1納米金在內的。
這里可以列一張表，用表格的形式詳細列舉出不同電極厚度下，PCE、AVT等數據的變化情況。
第五張圖……許秋發現實在沒什么可做的實驗了。
只有四張圖的話，也不是不可以，但文章就顯得稍微有些單薄。
于是，他決定搞點花里胡哨的東西出來，這也是之前看其他人文獻時得到的靈感。
正常器件測試的時候都是從玻璃/ITO這一測打光測試，半透明器件的常規測試方法也是一樣，從透明玻璃一側打光。
許秋打算另外測試一組從半透明電極那一側打光的器件性能數據。
可以預見的是，器件效率肯定是會變低的，因為光在到達有效層前就會被半透明電極先吸收一小半。
而效率的衰減絕大多數來自于這項吸收損失，因此衰減的幅度基本上約等于一減去半透明電極的AVT。
反正測試一下也花不了太多的功夫，就能多一張圖，何樂而不為呢。
下午兩點多，莫文琳完成了器件制備的前幾道工序，將基片傳送到蒸鍍手套箱中，然后進入辦公室，說道：
“許秋，你的兩種體系，我每組都用最優條件做了兩組轉速，每組轉速兩片，一共八片器件，就差最后的蒸鍍了。”
“好，我等下來教你怎么蒸鍍半透明器件。”許秋點點頭，穿上實驗服，進入里間實驗室。
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