瀾語墨那邊繼續的薅羊毛，納斯達克提款機還在源源不斷的為未來投資提供資金。
而張京呆在燕京的這兩天也接到了一個消息，林本健愿意做新公司的項目顧問。
林曉聽到這個消息，無疑是大喜。
在后世的芯片制造行業，林本健絕對是個赫赫有名的人物。
上世紀的最后二十年，島國一直是半導體行業的絕對霸主，他們掌握了半導體行業眾多關鍵技術與產品，其中一個很重要的就是光刻機。
尼康和佳能的光刻機占據了市場上很大的份額，即便光刻機大國米國也被他們拉下馬。
尤其是尼康，是當之無愧的行業巨頭。
因為光刻機的本質與投景儀+照相機差不多，以光為刀，將設計好的電路圖投射到硅片上。
在那個芯片制程還停留在微米的時代，能做光刻機的企業，有數十家，而尼康憑借著相機時代的積累，在島國半導體產業全面崛起的年代，成長為了光刻機行業的巨頭。
毫不夸張的說，當時的英特爾、IBM、AMD、德州儀器等半導體大廠，每天排隊堵在尼康門口等待最新產品下線的熱情，與后世大家眼巴巴等著阿斯麥EUV光刻機交貨的迫切程度相差無幾。
而到了后面，之所以行業的巨頭成為了阿斯麥，始于21世紀初的157nm光源干刻法與193nm光源濕刻法的技術之爭。
進入90年代，光刻機的光源波長被限制死在193nm，成為了擺在全產業面前的一道難關。
光刻機的光源就相當于刻刀，要雕刻的更精細，刀尖就得鋒利，而當刀尖技術卡住了，也意味著芯片制造技術面臨瓶頸。
以尼康為代表的公司主張采用157nm的F2激光，繼續研究光源技術。
米國的一些公司則是押注更激進的極紫外技術，也就是后世赫赫有名的EUV光刻，試圖直接用十幾納米的極紫外光來做光源。
但是兩者的需要克服的障礙都很多，進程非常慢。
前一世的2002年，鬼才林本健橫空出世，他在一次交流會上，首次提出“沉浸式光刻”方案。
他的理論聽起來很簡單，就是利用水會影響光的折射率這一高中知識，在透鏡和硅片之間加一層水，這樣原有的193nm激光經過折射，不就直接越過了157nm的瓶頸，降低到了132nm嗎？
隨后，林本健帶著他的沉浸式光刻方案前往米國、島國、德國等地，游說各家半導體巨頭，但都吃了閉門羹。
在這些巨頭門看來，這只是理想情況，在精密的機器中加水構建浸潤環境，既要考慮實際性能，又要擔心污染，如果在這種“替代方案”花費精力，耽誤了光源的研究，就有可能被對手反超。
因為林本健的這個想法太過簡單或者說太過理想化，而且等于否定了其它巨頭正在走的技術路線，遭到了各大半導體巨頭的集體拒絕，而且一度給臺積電施壓制止林本健到處亂竄攪局。
當時在光刻機領域市場份額較小的荷蘭廠家阿斯麥知道這個事情后，決定賭一把，因為這時候在市場里本來也無法和尼康等巨頭競爭，他們押注沉浸式技術有可能實現以小博大。
于是林本健和阿斯麥雙方一拍即合，雙方合作僅用一年多的時間，也就是在2004年，阿斯麥就做出了第一臺樣機。
而林本健隨后又說服了臺積電使用這個方案，并完成了產品生產，讓臺積電在芯片制程技術上一舉追上了之前遙遙領先的巨頭英特爾。
臺積電成功批量生產證明了浸入式技術的工藝可能性，而且浸入式屬于小改進大效果，產品成熟度非常高，隨后英特爾、IBM等公司紛紛決定跟進，購買阿斯麥的光刻機。