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    第三百八十五章 技術難題(2 / 2)

    “哦,是方教授啊!”張主任視線落在那位研究員身上,笑呵呵的為顧律介紹道,“這位是我們半導體的研究中心的方慶教授,主要負責半導體摻雜調控這一部分的研究內容。”

    “方教授,給你介紹一下,這位是隔壁數學院的顧律顧教授。”

    “你好你好!”

    “久仰久仰!”

    兩人簡單的握了個手。

    “方教授,你過來找我有什么事嗎?”張主任笑呵呵的開口問道。

    “哦。”方教授把手中的文件夾遞給張主任,沉聲開口,“張主任,最新一次的測量結果出來了。”

    張主任結果文件夾,打開后掃了一眼,眉頭緊緊皺起,“還是不行嗎?”

    方教授苦笑著搖搖頭,“還是不行,我們還是沒有找到證據證明,C雜質在GaN中的晶格位置。”

    “唉!”張主任聽后長嘆口氣,“這么久的努力,原來都是做了無用功啊!”

    顧律在一旁看著長吁短嘆的兩人,猶豫了一下開口問道,“張主任,你們是遇到了什么難題了嗎?”

    張主任沒有隱瞞。

    “準確的說,不是我們研究所遇到了什么難題,而是整個寬禁帶半導體領域都遇到了一個難題。”

    張主任開始為顧律講述起這個難題的詳細情況。

    在目前的半導體領域,摻雜調控是氮化物半導體材料和器件發展的關鍵科學和技術問題。

    通過C摻雜獲得半絕緣GaN是當前研制GaN基電子器件的主流方法。

    但作為IV族元素,C雜質在GaN中具有兩性特征,既可替代N原子,也可替代Ga原子,或者與其他雜質和缺陷形成復合體,使GaN中C的摻雜機理非常復雜,成為近年來氮化物半導體電子材料和器件領域關注的焦點問題之一。

    所以說,確定C雜質在GaN中的晶格位置是一個相當亟待解決的難題。

    燕大的半導體研究中心作為GaN寬禁帶半導體領域國內知名研究機構之一,理所當然的向該難題發起了沖擊。

    但結果……

    就如同剛剛顧律所見到的那樣,測量結果失敗,該技術難題依舊存在。

    讓張主任和負責這部分的方教授唉聲嘆氣。

    顧律聽后,摸著下巴,一直沉默不語,在沉思著什么。

    足足幾十秒后。

    顧律視線直視著張主任,苦笑一下開口,“張主任,要是我說,這個難題我可以解決,你相信嗎?”

    張主任很顯然的懵逼了一下。

    因為顧律的這句話明顯不在張主任的意料之中。

    或者說……

    張主任沒想過這句話會從顧律口中說出來。

    張主任足足愣了有十幾秒,才狠狠咽口唾沫,開口問道,“顧律,你是說真的,你真的有辦法?”

    “五成把握吧。”顧律沒有打一個十足的包票。

    因為他也不確定那個辦法,是否可以適用于寬禁帶半導體領域。

    五成把握!

    這個數字在張主任看來已經很高了。

    是值得一試的。

    只不過,從顧律這樣一個數學家口中說出這句話,總是有一種不靠譜的感覺。

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