2001年12月11日，滬上微電科長春實驗室將進行一次曝光系統實驗。
之前一再提到過，光刻機最核心的兩個東西是鏡頭和光源，而今天這場實驗的目的，倒不是說直接就搞定了鏡頭光源，這是不可能的，地表最強組合成立才半年，國家項目下來后的大佬加盟更是不過兩個月的時間。
即便2001年的光刻機技術攻堅要比2019年容易很多，但也不至于這么快。今天這個實驗的目的，是為了進一步證明浸沒式光刻機的發展方向是正確的。
之前紀凱論證了浸沒式光刻機的可行性，但更多是屬于理論上的結論。
這就好比林本堅帶著理論找到尼康的時候人家并不搭理他，理論終究是理論，還是需要上升到實際運用的。
所以這次實驗的目的一是進一步證明了方向正確后，可以給大家更大的信心，浸沒式光刻機可以突破現在整個光刻機行業的瓶頸，搞定米國人和霓虹人搞不定的事情，如果這個東西真的可行，對華夏這個領域的科研人員來說意義極其重大。
而在這個基礎上，就可以更放心的投入更大的財力和精力了，特別是想要讓國家投入更多的話。
上午9點，長春實驗室內，有一臺看著明顯要比光刻機粗糙很多的東西。進一步的驗證研究方向的正確性和實際生產出一臺光刻機的最大區別就在于，不需要真的完成芯片的光刻行為，只需要能順利采集一些數據即可。
而這種區別就會帶來設備上的巨大區別，比如精密機械方面，實驗不需要達到納米級的自動化機械水平，你甚至拿手操控都行。
但有些東西還是會有要求的，比如光源質量。
9點整，實驗準備開始，孟謙則繼續翻看徐國華的筆記本。
徐國華的筆記本上記錄的不僅僅只是他的經歷，他之所以跟孟謙說看看自己的筆記本能不能幫到自己，是因為上面還記錄著他這么多年的技術積累。
就比如他參與到公司光刻機項目之后之后
“2001年9月19日
提升光刻機分辨率的方法有三個，縮短波長，增加數值孔徑，減小K1因子。前段時間，江大帶來的浸沒式光刻機概念，可以大大提升折射率，從而增加數值孔徑。
為了更好的配合全新的浸沒式光刻機概念，我們與長光所合作，在激光器上實現了巨大突破。
我們研發了一種高功率193nm準分子激光器，使用氟氣、氬氣以及氦氣混合氣體作為工作介質，可輸出ArF最大脈沖激光能量424毫焦耳，總功率基本穩定在1%。激光器由內徑8.4m的玻璃鋼圓筒做成，總長94m。
電極采用張氏均勻場型面電極，電極有效平取寬5mm，電極長80m，兩電極之間距離2.1m。”
此時的長春實驗室。
“王院士，供電系統已經準備完畢。”
“開始實驗。”
“2001年11月17日，晴。
王院士的加入讓團隊信心大增，30多名科研人員連續攻堅一個月，終于在光束穩定技術上取得了成果。
此次的光束穩定系統包括光束測量和光束轉向兩大核心功能模塊，在推導了兩個模塊之間的光束傳遞矩陣后，王院長非常大膽的決定搭建光電閉環控制系統，通過引入已知光束偏移量后，數據顯示，系統的指向穩態誤差低于±3rad，位置穩態誤差低于±0.04mm，系統調整時間小于80ms。
實驗結果令人振奮。”
“2001年11月28日，晴。
由長光所和江大共同組建的擴束系統小組帶來了好消息，全新設計的系統可以滿足光束在5-20m傳輸光路范圍內不需要進行透鏡間隔調節，實現光斑大小和發散角滿足設計要求，保證目標光束口徑在(28.5±0.5)mm范圍內，X方向發散角為1.2mrad，Y方向發散角為1.84mrad。
該項研究將對光刻機研發產生巨大影響。”
此時的長春實驗室。