徐洲知道，這次的項目有多么重大的意義，不僅僅是一個橫向課題而已，夸張一點兒說，甚至會影響到國家未來芯片行業的進展。
相比于之前與彼亞蒂的橫向課題，這次的課題都要更加重要許多。
“這一次我們研究的課題，主要是有關芯片原材料的技術。我們需要研究出更好的集成電路硅片平坦化技術，以增加芯片加工過程的效率，保證芯片材料的質量。”
將這項研究交給寧晨和徐洲等人，是非常合適的，因為他們之前便做過很多有關硅的技術，即便放眼全國，他們也算是硅材料領域的專家了。
聽到寧晨的話，徐洲也點點頭說道
“是的，為了得到準確的光刻圖案，我們必須要提高硅片刻蝕層的面型精度，以及微觀表面質量。對于硅片的尺寸，我們有非常嚴格的要求。”
除了硅片的長、寬、厚度之外，硅片的局部平坦度需要控制在50n之內，正面的微粗程度，更是要求保持在01n的水平范圍上，這是一項并不容易達到的技術要求。
大家經過一番討論之后，制定了兩種主要的研究方向。
第一種研究方向，是在常用的硅片平坦化技術的基礎上進行改進。
目前市面上主要的硅片平坦化技術方法，包括熱流法、旋轉玻璃法、回蝕法、電子環繞共振法、化學機械平坦化等等。
這其中，化學機械平坦化是最為常見，也是最為成熟的方法，在這個方法上進行改進，相對來說也會更加的容易，更有可能取得研究的突破。
而另一種研究方向，便是創造全新的硅片平坦化技術。
這種研究方向并不容易，屬于一種完全的創新，所需要做的工作也會多很多，但并不容易取得什么有價值的成果。
包括寧晨在內的實驗室成員，也都傾向于第一種研究方案，只是同時保留了第二種研究方向的可能。
“今天回去之后，我們都考慮一下可以嘗試的方案。我們優先對于化學機械平坦化的方法進行改進，明天早上來實驗室一起討論可能的實驗方案。”
一天的時間，很難做出非常詳細的實驗方案，當然寧晨也并不是想用一天的時間去解決方案的問題，而是可以把時間線放長一些，只是需要大家每天都進行討論罷了。
即便是寧晨，也不能僅僅憑借自己的力量去解決各種問題，還是需要與其他人進行交流與合作。
晚上，寧晨回到自己的書房，思考起有關化學機械平坦化技術的改進方案。
寧晨先是總結著，傳統化學機械平坦化方法的各種缺點，并嘗試著從這些角度上進行優化。
傳統的化學機械平坦化技術，因為基于游離磨料、拋光墊和硅片之間的磨損機理，工藝參數比較多、加工過程不是很穩定，不太容易實現自動化的控制，而且生產率也比較低。
與此同時，由于拋光墊是具有一定彈性的有機織物，在拋光時對表面材料去除的選擇性不高，會導致產生包括過度拋光、氮化物腐蝕、碟形凹陷等各種各樣的缺陷。
除此之外，傳統的化學機械平坦化技術還有幾種其他的缺陷，而這些都是有可能通過改進來獲得提升的。
寧晨在腦海中，快速思考著這些問題的解決方式，同時結合著小智的模型化處理能力，來對自己的這些想法進行基本的測試。