8008，10μ的pos。
首個4kbt的dr，8μ的nos。
首個16kbt的dr，5μ的nos。
大名鼎鼎的8086/8088，3μ的nos。
徹底鞏固了ntel數十年基業的80286，1.5μ的cos。
至于為什么大家都不約而同的在這個應用方向上選擇了os技術，那就不得不說os的優點了。
這玩意工藝簡單！比雙極型簡單得多，不是一星半點那種！
拋開復雜的技術原理等等不說，簡單總結，以pos和雙擴散外延雙極型為例，要達到差不多同樣的效果，兩者工藝差別非常巨大。
pos外延次數1次，工藝步數最多45步，高溫工藝2步，光刻最多5次。
而雙擴散外延雙極型的這些數字，分別是4次以上、130步、10步、8次。
工序更少、工藝更簡單、良品率更高
對于量產來說，這些特么可都是錢吶！
而且對于現在的高振東來說，工藝步數越少，就意味著成功率越高。
兩者用到的基礎技術實際上是差不多的，最大的區別是在晶體管的工作原理上，所以在這個階段的技術難度上，有了高振東當知識的搬運工，更晚、更先進的os甚至要比雙極型要低。
os技術還有一個非常逆天、非常反直覺的地方。
在同代次內，更改os電路的設計，對于os的工藝沒有任何影響，os電路的性能的改變，是通過改變os場效應管的幾何設計來實現的。
雙極型在這種情況下是要通過改變諸如擴散源、擴散時間、擴散溫度等工藝參數來實現電路性能的改變，但是os電路就不，它的工藝是不變的。
而且這種改變幾何設計就能改變性能的特點，帶來了os集成電路的另外一個好處——更便于實現計算機輔助設計，實現半自動或者自動化設計。
除了上面這些好處之外，雙極型半導體本身，有一個最大的缺陷注定了它在大規模、超大規模集成電路上走不遠。
——它做不小！但是os可以！
這個情況的原因很多。
一來，os管子的面積天生就比雙極型要小。
二來，雙極型晶體管需要隔離pn結或者隔離井，os不需要。
第三，os天生就提供了兩層互連，這讓它的內部布線更為方便。
os的這么多優點，又帶來了一些系統級別的衍生好處，諸如系統性能更高、設計可預測性更好、可靠性和維護性更好等等。
有趣的是，實際上os場效應管概念的提出，要比雙極型管子早，之所以普及更晚，是受工藝的制約。