價值人民幣上億，貴可能貴了點，不過王岸然認為有價值，這就已經足夠了。
于此同時，浸入式光刻與雙工臺的研究也開始進入日程，讓王岸然苦惱的是，他找不到合適的技術帶頭人，所以一直無法推進。
不過另一項與浸入式光刻齊名的Fi生產工藝，王岸然覺的大有可為。
FinField_EffectTransistor鰭式場效應晶體管，相比與MOS晶體管而言，這是一款新型的晶體管模式。
是有華人科學家胡正明教授提出，并建立了系統的數學模型。
特點是工藝不變的情況下，可以在相同的面積內塞進更多的晶體管，而且漏電量和功耗同步大幅度降低。
Fi技術在9102年已經相當成熟，他本是Intel于2011年第一次推出，用于22納米制造工藝上的第三代酷睿處理器上，隨后大部分的半導體廠家開始加入到Fi工藝陣營當中。
技術難度比起普通的MOS有所提高，工藝上也增加了幾十道光、蝕刻、清洗、填塞、氣相沉積過程。
對華芯科技而言，技術難點就是材料的物理氣相沉積PDV技術，以及堆疊薄膜鍍層保護和蝕刻技術。
相比沉浸式光刻技術以及雙工臺技術的難度而言，Fi技術猶如小學生的作業題，在現有的技術條件下就可以完成。
加上自對準雙重成像技術SADP，一旦得到攻克，王岸然有信心在不調整硬件的基礎上，實現800納米制造工藝的突破，并將芯片的集成度達到320納米制造工藝的程度。
研究課題的確認，需要理論方面的支持，基于Fi工藝的BSIM數學模型有現實的指導意義。
9102年，如果說一個芯片底層硬件邏輯電路工程師，對BSIM不了解，那他肯定是混日子的。
BSIM邏輯電路設計模型在基于Fi工藝中的作用不可替代，王岸然自然不陌生，甚至他可以清晰的記得數學模型中每一個參數的設置。
不過就這樣堂而皇之的拿出來，多有不方便之處。
為此王岸然專門成立了Fi專用研究實驗室，召集了包括季小青、胡正旻、劉赫在內的一大幫華芯科技的基干力量。
“大家很清楚，我們的制造工藝，比起國際上主流的制造工藝落后了兩到三代，比起國外最新的尖端研究，那不知道落后多少代了。
今天我召集大家來到這里，就是要開展一項Fi工藝的開發，我可以很自豪的告訴大家，在這方面，我們走到了全世界的前列。”
王岸然的話成功了煽動了大家的熱情，對于大多人人來說，對Fin并不陌生，關于場鰭效應的論文在國際上并不新鮮。
可以在這項新的理論模型下，進行實際應用的研究，也是一件令人振奮的事。
就在王岸然正在埋頭進行Fi工藝模型架構的創建之時，一則消息打破了他的平靜。
“王總，德州儀器CEO安德森已經抵達了燕京，他希望就合作事宜，盡快與你進行會面。”
合作！拿技術來合作啊，華芯科技肯定比你想象中的更有誠意。
王岸然點點頭，對張磊說道：“聯系技術部，雷總，明天上午九點開會，這次我們要好好討論一下，該要點什么？”