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    第266章 這才是底牌!(3 / 3)

    “性能呢!”潘宇焦急的問道,“能達到麒麟芯片的水平嗎?”

    “樺為的麒麟芯片?何止!”喻黎明說道,“我不跟你說芯片具體性能,我只跟你說一點,它的制造工藝,你就明白了。”

    “制造工藝?它是幾納米工藝的?10納米?”潘宇問道。

    一般科技公司,能造出10nm工藝的芯片就已經不錯了。要知道,1納米相當于4倍原子大小,比單個細菌的長度還要小很多。假設普通成年人頭發一般是80~90微米,差不多1根頭發絲有10萬個納米單位。放大比例來看如果一根頭發直徑是100米,那1納米就相當于一粒沙。

    在這么小的尺寸上進行芯片制造,建造各種晶體管,這種工藝,代表了人類科技在某個領域的巔峰!

    喻黎明搖了搖頭,潘宇質疑道:“難道10納米都沒有,麒麟芯片都7納米工藝了。”

    高通公司,甚至還掌握了5納米工藝,只是沒有量產,因為成本太高。

    “他的意思是,往低了猜。”孟曉白忍不住說道。

    “不可能,難道我們都有5納米工藝了?那豈不是直接就是世界一流的芯片制造企業了?”潘宇納悶道。

    “也不是5納米。”喻黎明還在賣關子。

    “那就是10納米!”潘宇肯定道,“5納米都已經是極限了!”

    目前芯片制造使用的FI的FIN寬度在5納米時會達到工藝極限,也就說幾乎不可能再提升了。

    “錯,是3納米工藝!”喻黎明說道。

    “怎么可能是3納米?這不科學!”潘宇表示難以相信。

    “3納米?我記得高通賣給我們的芯片都才是7納米工藝,這……我們才研發了多久?”甘華榮也表示不信,其他幾人都是同樣的想法。

    “還是讓王老師跟你們講吧。”喻黎明把舞臺交給了王遠航。

    王遠航講解道:“所謂的5納米工藝極限,是使用傳統的FI制造工藝時遇到的工藝極限。但如果我們將MOS管溝道的材料從硅/鍺硅改為載流子速率更快的鍺,就有辦法制造出3NM工藝的芯片。”

    “除此之外,我們還能用GAA納米片FET在FI上進行革新的辦法。將原來溝道有源區的三個方向包裹變成四個,增強對溝道電流的控制力。或者使用GAA納米線FET設計……”

    高媛俏臉上一臉迷茫:“???”

    她完全沒有聽懂王遠航在講什么,和她一樣,喬簡,甘華榮也是一臉懵,潘宇雖然聽懂了一點,但具體分析還是不太明白。

    他們只聽懂了最關鍵的一點,使用了最新工藝后,深空半導體成功的突破了7NM和5NM工藝,制造出了3NM工藝的智能芯片!

    這不僅是打破了國外廠商的技術封鎖,更是創造了一個全新的記錄!這將是一個震驚世界的研究成果!

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